采用gan有源钳位反激电路与si mos相比: 1,gan的coss较小, 可以

(5),超结的高压功率mosfet的coss的非线性特性,在低压时会突然急剧

mosfet开关损耗分析

fet较低的rds(on)×coss(tr)(mΩ·nf)规格则可实现更低的传导损耗和

技术详解coss滞回损耗在高密度电源适配器应用中的影响