mos管导通条件

本发明公开了一种隔离型ldnmos器件,包括了漂移区

图1-16 寄生的nmos导通

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一种基于nmos管的栅压自举开关电路制造技术

3v,1.5v】 nmos导通关闭条件

nmos 开关电路

nmos结构示意图和工作原理耗尽型与增强型nmos基础知识

pmos nmos