图4-12(b)是由锑化铟为材料制成的霍尔传感器元件结构.它是由衬底

apx9141bee-pbl anpec 霍尔效应传感器集成电路反向电压保护 4脚

keyes霍尔磁力传感器模块 ky-003

霍尔传感器电路图

apx9140bee-pbl apx9140atee-pbl anpec茂达 霍尔效应传感器 4脚