半导体激光器的结构通常由p层,n层和形成双

一种双量子阱电吸收调制激光器的制作方法

例如,808 nm的红外激光器的增益区为gaas量子阱,采用折射率低的algaas

3um对于使用量子阱的结构使比较困难的,下面主要介绍两个两种半导体

cn102545059a_一种具有p/n异质结的半导体激光器芯片的量子阱结构失效