一种具有逆掺杂分布的深n阱的cmos spad光电器件的制作方法

2 n阱硅栅cmos工艺主要流程 7.

cmos射频收发开关芯片设计 图2(a)所示的为体悬浮技术所采用的深n阱

左图采用硅栅n阱cmos工艺设计的电路版 图.假设: n=2 p,vtn= vtp.

有源区外是一层反向扩散区,对于n阱cmos工艺,衬底是p型低掺杂,pmos管