二硫化钼垂直晶体管的制作过程和金属-半导体界面的表征.
硅时代即将终结伯克利用碳纳米管和二硫化钼制备出1nm晶体管
首款利用二硫化钼构建的芯片诞生
mos2上制备8100个fet器件;(b)单层mos2上集成大面积芯片的光学图像;(c
的研究,最近瑞士的相关科研团队表示,在二硫化钼材料中加入超导体储电
二硫化钼垂直晶体管的制作过程和金属-半导体界面的表征.
硅时代即将终结伯克利用碳纳米管和二硫化钼制备出1nm晶体管
首款利用二硫化钼构建的芯片诞生
mos2上制备8100个fet器件;(b)单层mos2上集成大面积芯片的光学图像;(c
的研究,最近瑞士的相关科研团队表示,在二硫化钼材料中加入超导体储电