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半导体和绝缘 体都具有满带和隔离满带与空带的禁带
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背景技术:gan是第三代宽禁带半导体材料之一,其禁带宽度高达3.
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的光子入射于半导体时,电子从价带跃迁到导带,产生电 第1页
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n 型半导体的缺陷能级ed靠近导带,无忧文档 所有分类 工程科技 材料
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origin咋整?价带,导带,能隙图①阶梯图
半导体和绝缘 体都具有满带和隔离满带与空带的禁带
背景技术:gan是第三代宽禁带半导体材料之一,其禁带宽度高达3.
的光子入射于半导体时,电子从价带跃迁到导带,产生电 第1页
n 型半导体的缺陷能级ed靠近导带,无忧文档 所有分类 工程科技 材料
origin咋整?价带,导带,能隙图①阶梯图