二维异质结mos2/wse2能带排列的第一性原理研究

(b&c) 分别在532 nm和1400 nm光照下inse/te异质结器件的能带图;(d)

p-biocl/n-zno异质结紫外光电探测器的(a)结构示意图和(b)能带示彝技

图 3 能带图和光生电子和空穴传输示意图 (a)平面异质结结构

异质结半导体激光器ppt