euv极紫外光刻技术

工业技术_激光等离子体极紫外光刻光源

asml极紫外光刻机内部构造

samsung 极紫外光刻 7nm 制程技术已完成

extreme ultraviolet 极紫外光刻(euv)是下一代光刻主流技术.

极紫外光刻

极紫外投影光刻光学系统

n7 工艺,这是台积电第一次,也是行业第一次量产euv极紫外光刻技术

一,中国光刻技术采用193nm深紫外光源,荷兰asml的euv采用13.