所有碱性蚀刻剂对硅的腐蚀都是各向异性的,蚀刻速率依赖于晶体取向.

华林科纳半导体工艺sic高温退火刻蚀的各向异性

hbr气体刻蚀,hbr可形成聚合物钝化侧壁,增强各向异性陡直度;过刻蚀

基于石墨烯的各向异性刻蚀技术

结论我们描述了rie的一般但重要的方面,如各向异性,加载效应,滞后效应