半导体刻蚀工艺基础干法刻蚀

中微5nm刻蚀机量产已应用于台积电生产线

基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法与流程

array制造工艺流程图如上,其中包括了成膜工艺,黄光工艺,刻蚀工艺

刻蚀角度:90o±1o 掩膜:sio2,al,光刻胶