这也就意味着,直接用现成的光刻机和刻蚀机便能生产13nm量子芯片,也能

基于无掩模光刻的高精度ito电极湿法刻蚀工艺研究引言实验

光刻与刻蚀工艺流程

这种模块可以集成到离子阱芯片上,从而将光耦合到刻蚀在芯片上的光

然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底(硅晶圆)上